2022年9月7日 各國法規新訊彙整

化合物(寬能隙)半導體已成為未來各大產業發展舉足輕重的關鍵要件，其中不可或卻的便是碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN)功率元件，本分析報告將闡述了化合物半導體GaN、SiC功率元件與矽基半導體功率元件之差異，以及化合物半導體GaN、SiC功率元件在未來扮演的角色，並以化合物半導體之GaN、SiC功率元件做為分析目標。

本次專利分析項目有專利申請趨勢分析、前十大專利申請人分析、前十大申請地區分析、生命週期分析、技術分類分析、企業研發競爭力、核心專利判讀、國家別產業應用判讀分析、主要專利權人產業應用判讀分析，透過以上的分析項目，並施以交叉分析比對，以獲得更清晰的產業技術脈絡。

台灣具有全球高度發展的半導體製造產業，其豐富的半導體製造經驗可作為後盾，未來在化合物半導體GaN、SiC功率元件製造、應用產業上將有更多發展的可能，可望帶動台灣在能源議題上的蓬勃發展，透過本專利布局分析報告，提供國內產業相關技術布局概況與未來發展方向建議之參考，以利國內產業了解技術整體發展趨勢，搶攻化合物半導體功率元件新藍海商機。

鑒於證明標章、團體標章及團體商標註冊應備之程序事項及註冊審查要件與商標不同，有就實務上發生疑義部分增修內容及案例，進一步釐清審查原則之必要，爰擬訂「證明標章、團體標章及團體商標審查基準」修正草案，修正重點如下：

(一)對應條文序列，修正審查基準名稱為「證明標章、團體標章及團體商標審查基準」。

(二)獨立「產地標章」章節，以利推廣並說明我國「產地證明標章」及「產地團體商標」之申請註冊機制。

(三)證明標章申請人不從事所證明商品或服務之業務之聲明：
1. 明確規定申請人不得於證明的商品或服務同一範圍取得任何商標之註冊，否則，形式上可認定其有從事所證明之商品或服務之業務，而違反中立義務，並與聲明內容不符。
2. 申請人於所證明商品或服務之業務以外的商品或服務，如無其他不得註冊之情形者，可另行申請註冊取得商標權。

(四)申請註冊證明標章之使用規範書內容，應明確指定證明之商品或服務名稱：
1. 證明標章之申請，其證明內容所記載之商品或服務，雖可以概括上位之名稱呈現，如食品、電器用品等，惟為明確對應使用規範書所訂定之使用條件，並利於第三人申請證明標章之使用，參考國外實務作法，其證明之商品或服務名稱，應準用尼斯國際分類之分類原則加以指定，並作為使用規範書附件，以利公告。
2. 證明之商品或服務」所記載之商品或服務名稱，應與使用規範書及申請書上載明之證明內容相一致，不得超出證明內容所載證明之商品或服務範圍。

(五) 例示並說明證明標章、團體標章及團體商標之申請，有關適用商標法第30條第1項第10款但書「顯屬不當情形」之判斷原則。

(六) 增修案例以輔助基準內容說明，並利於閱讀者理解。

新加坡專利局宣布將PCT-ASPEC計畫延長3年至2025年8月26日止。根據PCT-ASPEC計畫，專利申請人可根據東協之國際檢索局 (International Searching Authority, ISA)／國際初步審查局 (International Preliminary Examining Authority, IPEA)出具之書面意見或國際初步審查報告 (International Preliminary Examination Report, IPER) 來加速以下9個東協國家之專利審查，包括：汶萊、柬埔寨、印尼、寮國、馬來西亞、菲律賓、新加坡、泰國及越南。

新加坡及菲律賓專利局為被認可的國際檢索局或國際初步審查局，可核發必要書面意見或IPER。PCT-ASPEC計畫每年僅受理100件專利申請案。